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三星Galaxy S8或将搭载全球首款10nm芯片

时间:2015-11-27 12:51来源:网络整理 www.yunhepan.com
   11月19日消息,就在三星新旗舰galaxy S7还未发布的今天,外媒又爆出有关三星下一代旗舰galaxy S8的最新消息。三星galaxy S8有望采用全球首款10nm制程工艺的芯片,目前,三星已经对外公布了这项工艺,并宣称明年最晚后年将开始投入量产。


三星Galaxy S8或将搭载全球首款10nm芯片

    在最近的Techcon 2015大会上,三星率先亮出了自家研发的10nm工艺晶圆,这也是截止到目前,产业界首次秀出10nm工艺。此前台积电曾表示,将会在2016年年底试产10nm,2017年正式量产,而英特尔虽然早早将10nm工艺提上日程,但是迫于各种阻碍,不得不延期至2017年。


三星Galaxy S8或将搭载全球首款10nm芯片

10nm工艺与现在14nm工艺相比具有很多优势,包括空间占用减少了40%,并且在保持相同性能的情况下,能耗也会大幅降低。之前三星在14nm工艺上的Exynos 7420就在跑分性能上超越骁龙810,而从现在的情形来看,三星在芯片工艺处理上的跨步已经是领先其他芯片厂商,至于未来能否成为行业的领头羊,还得由时间来检验。

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